美國記憶體大廠美光慣以專利侵權訟訴打擊競爭者，台廠包括聯電都吃過大虧，但美光對大陸長江存儲的侵權官司卻吃了敗戰。慕尼黑第一地方法院9月判決，美光侵害長江存儲兩項涉及3D NAND階梯結構與字線接點阻障層的德國實用新型，並核發禁制令，禁止美光在德國提供及銷售侵權產品。
美光9月在愛達荷州聯邦地區法院起訴長江存儲，指控長江存儲刻意招募熟悉美光核心技術的關鍵工程師，非法獲取3D NAND的關鍵技術，如高深寬比蝕刻、替換閘極、多層堆疊連接、柱體成形與清洗、記憶體I/O電路等。
美光發現，長江存儲多項用來控告美光侵權的專利，發明人竟然就是美光的前工程師，美光主張這些技術是在任職美光期間構思、或利用美光秘密開發的，專利所有權應歸美光所有。
美光起訴長江存儲的手法就像2017年控告聯電與福建晉華，2013年美光併購台灣記憶體廠華亞科，並成立台灣美光；隨後，聯電與福建晉華簽署技術合作協議，由聯電協助晉華開發32奈米DRAM記憶體技術。
美光當時指控台灣前員工被聯電挖角，非法竊取DRAM的關鍵設計規則，如DR25nmS與製程秘密，並用於研發與福建晉華合作的DRAM晶片。
2020年聯電與美國司法部和解承認侵害一項營業秘密，同意支付美國政府6000萬美元罰金；隨後，聯電與美光達成全球和解協議，美光撤回對聯電的訴訟，雙方轉為專利授權與業務合作夥伴關係。
美光透過對台廠與陸廠的訴訟戰，成功阻斷福建晉華在DRAM領域的自主量產之路。
除了9月在美國法院對長江存儲發起訴訟戰，7月14日，美光還對長江存儲及其供應商發起訴訟，被告的企業包括了江波龍電子從美光收購的鏡頭廠雷克沙（Lexar）以及台灣的存儲模組廠商宇瞻和十銓。
據大陸自媒體「專利地平線」分析，美光之所以起訴長江存儲的同時，還將雷克沙和宇瞻、十銓列為被告，可能還是因為他們向長江存儲採購的NAND顆粒，做成SSD、記憶體、存儲卡，再貼牌銷售，因此這被認為是美光對長江存儲下游廠商的施壓，迫使他們放棄採購長江存儲的顆粒。
而且，就在美光向英國法院發起這場訴訟的同一天，美光還向歐洲統一專利法院曼海姆地方分院單獨起訴雷克沙和宇瞻，這也就意味著美光正全面發起針對長江存儲及其供應商的訴訟戰。